瑞薩電子已於2024年6月20日完成對Transphorm, Inc.（“Transphorm”，納斯達克代碼：TGAN）的收購。隨著收購的完成，Renesas將立即開始提供基於氮化鎵（GaN）的電源產品及相關參考設計，以滿足對寬帶隙半導體產品的日益增長的需求。

現今的電源系統在許多應用中日益追求更高的效率和功率密度，這些應用需要覆蓋更廣的電壓範圍，並且具備比傳統硅基設備更快的開關頻率。寬帶隙半導體器件不僅正在迅速增長，還在解決現代複雜電源系統需求方面具有獨特優勢。

Transphorm 的氮化鎵技術和器件的加入，將戰略性地強化 Renesas 的電源產品組合，為客戶提供更全面的解決方案，成為業界最全面的產品之一。Renesas 現有的分立元件組合，包括 IGBT、SiC 和 Si 功率 FET，現加入了氮化鎵（GaN）器件，為客戶的系統設計提供最大的靈活性。Transphorm 的氮化鎵技術獨特且差異化，基於其單核平台垂直整合模式，支持當今市場上最廣泛的功率應用產品，涵蓋從 45W 到 10+kW 的功率轉換需求。其自有的晶圓製程相比競爭產品具有25%更佳的損耗/性能比，這是一個關鍵優勢。Transphorm 擁有領先的知識產權，涵蓋從外延材料到封裝和應用的整個氮化鎵價值鏈，超過 1000 項專利，進一步推動了差異化和客戶創新。

為了滿足我們在汽車、工業、可再生能源和消費領域不斷增長的客戶需求，Renesas 的廣泛電源管理解決方案現在結合了完整的寬帶隙技術，涵蓋領先的氮化鎵產品與垂直整合的晶圓製造，以及業界最佳的控制器和驅動IC，提供全面的解決方案。

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https://www.renesas.com/us/en/key-technologies/gallium-nitride-gan-power-solutions#parametric_options