能量轉換新境界:GaN-FET在AC/DC Flyback Converter的技術應用

renesas-gan-fet

前言

隨著電力電子技術與半導體材料與工程的不斷演進,氮化鎵金氧半場效電晶體(Gallium Nitride-Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, 簡稱GaN-FET)作為新興的高頻功率開關元件,正引著領能量轉換領域進入新的境界。

本文將探討氮化鎵金氧半場效電晶體GaN-FET所帶來的優點與其在交流/直流(AC/DC)返馳式轉換器 ( Flyback Converter ) 應用中所帶來的變革及技術突破。

首先將簡要介紹AC/DC Flyback轉換器的基本工作原理,然後探討GaN-FET在這一領域的優勢。

AC/DC Flyback轉換器的基本工作原理

市面上常見3C 產品的AC/DC充電器,其電源架構大多為Flyback轉換器,因有較高的效率、較小的體積和重量、較簡單的電路設計和較低的成本,一直為主流製造廠商的選擇。其電路當中會使用到一個功率開關元件,傳統以矽(Si) 製程為主的金屬氧化物半導體場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET)在高頻操作下存在著較大的開關損耗和導通損耗,限制了轉換器的效率和功率密度。

 

AC/DC Flyback轉換器是一種常見的電力轉換裝置,常被應用於電源供應器和充電器等場合。其基本工作原理如下:

  • 輸入端: 交流電源通過變壓器進入轉換器,其中包括一個開關元件(通常是MOSFET)。
  • 工作週期: 通過控制開關元件的開關週期,實現能量的儲存和釋放。當開關元件通過時,變壓器儲存能量;當開關元件斷開時,能量釋放到輸出端。
  • 輸出端: 轉換器的輸出端通常配有整流和濾波元件,以獲得穩定的直流輸出電壓。
renesas-gan (圖一) 簡化的返馳式轉換器電路
  1. 輸入交流電壓Vin(t) 經橋式整流進入濾波電容器,去除輸入電壓中的漣波   Vg(t),然後通過控制工作頻率切換功率開關Q1 (MOSFET)。
  2. 當Q1導通時,能量儲存在變壓器的磁場中,此時二極管D1關閉。
  3. 當Q1關閉時,變壓器的繞組極性反轉,能量轉移到輸出電路,同時二極管D1導通。
  4. 這樣的週期性工作使得交流電壓Vin(t) 轉換為所需的直流電壓Vo。

GaN-FET在AC/DC Flyback轉換器中的優勢

氮化鎵場效應電晶體(GaN-FET)相較於傳統的矽基場效應電晶體(MOSFET)具有一些顯著的優點,這使得它在一些特定的應用中更有吸引力。以下是GaN-FET的一些主要優點:

  • 高電子遷移率: 氮化鎵材料具有較高的電子遷移率,這意味著電子在材料中移動的速度更快,有助於提高電子元件的性能。
  • 高電子飽和速度: GaN-FET具有高電子飽和速度,使得它能夠在高頻率應用中表現優異。這使其在高速開關和射頻功率放大器等應用中特別有用。
  • 高電壓操作: GaN-FET可以在相對較高的電壓下操作,這使得它在高電壓應用中更為適用。
  • 低通道電阻: GaN材料的物理特性使得GaN-FET具有相對低的通道電阻,這有助於減小開關損失,提高效能。
  • 高溫穩定性: GaN材料在高溫下仍然能夠保持穩定的性能,這使得GaN-FET在高溫環境下的應用更有優勢。
  • 小型尺寸: GaN元件的小型尺寸有助於製造高集成度的電路,並在一些應用中節省空間。

 

總體而言,GaN-FET在高頻率、高功率密度、高效能以及高溫環境等方面的優勢,使其成為一些特定應用中的理想選擇,例如雷射驅動、無線通信、軍事雷達和電力轉換等領域。

氮化鎵和矽在相同的額定電壓下比,氮化鎵元件的每單位面積的導通電阻值要低得多。這使得氮化鎵晶片和其封裝尺寸顯著減小。

GaN-FET在AC/DC Flyback中的應用

GaN-FET 其製程工藝為橫向結構的功率元件,其物理特性具有小於矽Si-MOSFET十分之一以下的閘極電荷(Qg)與輸出電荷(Qoss),且沒有逆向回復電流(Irr)的問題。

(表一)為耐壓600~650V相等級時MOSFET與GaN-FET簡易參數差異 :

renesas-gan (表一)
  • Qg參數影響驅動損耗,主要影響輕載效率。GaN-FET相較於Si-MOSFET有大幅度的降低。
  • Qoss 參數在軟切換的電源架構中,Qoss小,則Dead time在設計上可以比較短,有效傳遞能量時間可以增加,有利於提升效率。GaN-FET相較於MOSFET有大幅度的降低。
  • Eoss參數在硬切換的電源架構中 (例Flyback架構),影響切換損失。GaN-FET相較於MOSFET是呈現比較小的數值。
  • Qrr參數高在半橋架構下容易造成硬換相,較小的Qrr可以減少Short through的現象發生。GaN-FET相較於MOSFET有相當程度的降低。

高頻操作

 GaN-FET具有極低的輸入電容Ciss與輸出電容Coss,使得它能夠在更高的開關頻率下運行,減少變壓器體積和重量。這進一步提高了轉換器的效率和功率密度。

低開關損耗: GaN-FET可支持非常快的開關速度應用,這意味著在開關過程中會有更少的能量損耗。這大幅提高了轉換器的效率,同時降低了散熱需求,使得系統更加可靠。

高準確性

GaN-FET的低輸出電容和快速開關速度有助於實現更高的轉換器控制準確性和穩定性。這對於對輸出電壓精度要求較高的應用至關重要。

未來展望

隨著GaN-FET的應用,AC/DC Flyback轉換器的技術也迎來了一些重要的突破和變革:

  • 尺寸和重量的減小: 高頻率操作和低通道電阻使得使用GaN-FET的轉換器可以更小巧輕便,適用於有空間限制的應用場景。
  • 效率的提高: 由於GaN-FET的高效能特性,轉換器的整體效率得以提高,同時降低能量損失。
  • 高頻率操作的實現: GaN-FET的高開關頻率使得轉換器能夠應對高頻率操作的需求,適用於一些對轉換器動態響應要求較高的應用場景。

總體而言,GaN-FET在AC/DC Flyback轉換器中的應用為能量轉換領域帶來了顯著的技術進步,同時提升了轉換器的性能和效率,促使相關應用領域邁向更為高效、小型化、輕量化的方向。

renesas-gan (圖二)

Renesas推出高性能AC\DC Flyback控制器 iW9872,做為GaN-FET 搭配AC\DC Flyback Converter的應用產品。

renesas-gan (圖三) iW9872_SOT-23-6 Package
renesas-gan (圖四) 應用電源架構

Renesas iW9872

iW9872 是一款用於次級側調節 (SSR) 的高性能交流/直流初級側數字反馳式控制器。

該器件在瑞薩電子獲得專利的恆定頻率、準諧振 (QR) 開關模式和自適應多模式控制 (MMC) 下運行。

iW9872 獨特的 MMC 操作模式包括 PWM、PFM 和突發模式,可優化反馳式轉換器性能,包括效率和 EMI。 它還提供了一些關鍵的內置保護功能。iW9872芯片可以實現高效率、高精度電壓/電流控制和快速動態負載響應,所有這些都以最低的系統成本實現。

 

其主要特性如下:

  • 使用瑞薩電子的專利開關模式[自適應準諧振 (QR) 操作和自適應多模式控制 (MMC)] 和連續導通模式 (CCM)
  • 提高效率並消除可聞噪音
  • 實現尺寸、效率和 EMI 性能的優化
  • 支持Vvcc 輔助繞組雙極性電壓檢測,以改善EMI 並簡化變壓器設計
  • GaN 功率器件的優化柵極驅動
  • 支持使用次級側調節 (SSR) 控制進行精細的恆壓 (CV) 和恆流 (CC) 調節
  • 支持高達 270kHz 的高開關頻率,用於驅動 GaN-MOS 器件
  • 內置單點故障保護,防止交流線路電壓欠壓、欠壓、輸出短路、輸出過壓和光耦合器故障
  • 用戶可調節內部 OTP 閾值以滿足各種熱要求
  • 6 引腳 SOT-23 封裝支持緊湊型電源設計
renesas-gan (圖五)

參考文獻

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