英飞凌推出业内首款1Mbit车规级串行EXCELON™ F-RAM存储器及新型4Mbit F-RAM存储器

这两款新品已通过 AEC-Q100 1级认证，支持更宽泛的温度范围 (-40°C  至 +125°C)，补充了存储密度从 4Kbit 到 16Mbit 不等的车规级 F-RAM 存储器产品组合。它们均具有快速且高度可靠的读/写性能，在 SPI 模式和 Quad SPI (QSPI) 模式下的读写性能分别高达 50 MHz 和 108 MHz。此外，这些存储器具有 10 万亿次读写周期，能够支持以 10 微秒间隔进行数据记录长达 20 年。

英飞凌科技 RAM 解决方案副总裁 Ramesh Chettuvetty 表示：“随着电子系统的广泛应用，以及行业法规鼓励在安全气囊系统及发动机控制和电池管理系统中使用高可靠非易失性存储器，汽车系统中的数据记录需求正在迅速增长。需要记录数据的应用数量不断增加，根据特定用例定制存储密度的需求也随之增长。英飞凌致力于帮助客户灵活满足各类系统设计对存储器架构的要求。”

EXCELON™ F-RAM 存储器具有零延迟写入功能，可以持续捕获并记录数据，直到事故或其他用户定义的触发事件发生前的最后一瞬间。这两款新品采用串行 (SPI/QSPI) 接口，具备 F-RAM 存储器的超低功耗特性，工作电压范围为 1.8V 至 3.6V，并采用标准的 8 引脚 SOIC 封装。半导体科技公司英飞凌的 F-RAM 存储器除了具有出色的耐用性外，还可在断电后保存数据超过 100 年。

英飞凌存储密度为 1Mbit (CY15B201QN-50SXE) 和 4Mbit (CY15B204QN-40SXE) 的 EXCELON™ 车规级 F-RAM 存储器件现已量产。英飞凌还预计在今年年底前推出这两款器件的 Quad SPI 接口版本。

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